短暫性失憶發(fā)生的因素主要有腦部創(chuàng)傷、心理因素、藥物影響、癲癇發(fā)作、腦血管疾病等。

1. 腦部創(chuàng)傷：頭部受到外力撞擊，如車禍、摔倒等，可能損傷大腦的記憶相關區(qū)域，像海馬體等，從而導致短暫性失憶。大腦在遭受創(chuàng)傷后，神經細胞的正常功能受到干擾，信息的存儲和提取過程出現障礙，就會出現對近期或特定時間段內的記憶缺失。

2. 心理因素：嚴重的精神壓力、焦慮、抑郁或者經歷重大的情感創(chuàng)傷，如親人離世、失戀等，可能引發(fā)心理性的短暫失憶。這是因為心理上的應激反應會影響大腦的神經內分泌系統，干擾記憶的正常形成和檢索。例如，在極度驚恐的情況下，大腦可能會選擇性地屏蔽某些痛苦的記憶。

3. 藥物影響：某些藥物在使用過程中可能會產生失憶的副作用。如鎮(zhèn)靜催眠藥地西泮、苯巴比妥，抗癲癇藥苯妥英鈉，以及部分抗精神病藥物氯氮平、奧氮平等。這些藥物作用于中樞神經系統，影響神經遞質的傳遞，進而干擾記憶功能。

4. 癲癇發(fā)作：癲癇是一種腦部神經元異常放電的疾病。在癲癇發(fā)作期間或發(fā)作后，可能會出現短暫性失憶。這是因為異常的電活動會擾亂大腦正常的神經信號傳導，影響記憶的存儲和讀取。不同類型的癲癇發(fā)作，其導致失憶的表現和持續(xù)時間也有所不同。

5. 腦血管疾病：短暫性腦缺血發(fā)作、腦供血不足等腦血管疾病，會使大腦局部區(qū)域的血液供應減少，導致神經細胞缺氧、缺血，影響其正常功能，從而引發(fā)短暫性失憶。這種失憶通常與腦部血管病變的部位和程度有關。

短暫性失憶的發(fā)生是由多種因素共同作用或單一因素引發(fā)的。腦部創(chuàng)傷、心理因素、藥物影響、癲癇發(fā)作和腦血管疾病等都可能導致這一現象。當出現短暫性失憶時，應及時就醫(yī)，進行全面的檢查和診斷，以確定病因并采取相應的治療措施。遵醫(yī)囑進行治療，避免自行用藥，以免加重病情。