若新生兒有早產(chǎn)、出生體重小于2500克、出生前后缺氧、黃疸損傷、先天性感染、胚胎發(fā)育缺陷或?qū)m內(nèi)發(fā)育過程中各種有害因子侵襲、生后1個月內(nèi)危重疾病所致腦損傷等以上情況，那么每10個新生兒中就有一個是發(fā)生腦癱的機(jī)率更大。

另外，物理因素引起腦癱的情況往往都是在胎兒發(fā)育過程中受到輻射從而導(dǎo)致大腦發(fā)育不全或者發(fā)育遲緩而發(fā)生腦癱。這個說法是事實，生活中是有這個情況發(fā)生可能性的。輻射是會對胎兒的腦部發(fā)育是有影響的，所以一般在孕婦早期，一般會采取防輻射的措施，例如孕婦可以帶可以防輻射的圍裙等等，這些至少會有一定的作用的。我們生活在一個充滿著電離輻射的世界里，特別是一些經(jīng)常做磁共振的，或者其他一些職業(yè)會經(jīng)常接觸高輻射的肯定要做好防輻射的措施了。

引起腦癱的原因主要有遺傳和染色體疾病、先天性感染、父母吸煙，酗酒等不良嗜好也造成的影響，或者孕婦的一些疾病如糖尿病，高血壓綜合癥以及過多服用避孕藥等也可能是產(chǎn)前腦癱的發(fā)病原因。胎兒在宮內(nèi)窒息、羊膜炎、胎位異常及臍帶過短也是重要高危因素。嬰兒分娩開始到生后一周內(nèi)的腦損傷，包括腦水腫、新生兒休克、腦內(nèi)出血、敗血癥或中樞神經(jīng)系統(tǒng)感染、缺血缺氧性腦病等。圍產(chǎn)因素可能是引起早產(chǎn)兒腦癱的重要原因。圍產(chǎn)因素指發(fā)生在晚期新生兒以后的因素包括從1周至3或4歲間發(fā)生的中樞神經(jīng)系統(tǒng)感染、腦血管病、頭顱外傷、中毒等各種引起的非進(jìn)行性腦損傷的病因。此外新生兒驚厥是腦癱最重要的危險因素。